CY15B108QI-20LPXI

CY15B108QI-20LPXI es una memoria no volátil de 8-Mbit y bajo consumo que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras de manera similar a una RAM. Proporciona retención de datos confiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, los gastos generales y los problemas de confiabilidad a nivel del sistema causados ​​por la memoria flash serial, EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la memoria flash serial y EEPROM, el CY15X108QI realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.

• Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 8 Mbit (F-RAM) organizada lógicamente como 1024 K × 8
• Tecnología de escritura instantánea no volátil de Infineon, proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
• Interfaz periférica serial rápida (SPI), frecuencia de hasta 20MHz
• Protección de hardware mediante el pin de protección contra escritura (WP activo bajo)
• Protección de software mediante instrucción de deshabilitación de escritura (WRDI)
• F-RAM de sector especial dedicado de 256 bytes, escritura y lectura de sector especial dedicado
• Rango de VDD de 1.8V a 3.6V, corriente activa típica de 1.3mA a 20MHz
• Corriente de espera típica de 3.5µA, corriente de modo de apagado profundo típica de 0.90µA
• Corriente típica en modo de hibernación: 0.1µA, corriente de entrada típica: 1.6mA durante el encendido
• Rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 °C a +85 °C, paquete GQFN de 8 pines