CY62167EV30LL-45ZXI

El CY62167EV30LL-45ZXI es una memoria RAM estática CMOS de alto rendimiento y 16Mb, organizada en 1 millón de palabras de 16 bits o 2 millones de palabras de 8 bits. Este dispositivo incorpora un diseño de circuito avanzado que proporciona una corriente activa ultrabaja. Esta corriente activa ultrabaja es ideal para ofrecer una mayor duración de la batería (MoBL®) en aplicaciones portátiles, como los teléfonos móviles. El dispositivo también cuenta con una función de apagado automático que reduce el consumo de energía en un 99% cuando no hay cambios en las señales de dirección. Coloque el dispositivo en modo de espera cuando no esté seleccionado. Los pines de entrada y salida pasan a un estado de alta impedancia cuando el dispositivo se deselecciona, las salidas se desactivan, se desactivan tanto la señal de habilitación de byte alto como la de byte bajo, o bien hay una operación de escritura en curso. Para escribir en el dispositivo, lleve a nivel bajo las señales de habilitación del chip y la entrada de habilitación de escritura. Si la habilitación del byte bajo es BAJA, entonces los datos de los pines de E/S se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección.

• Consumo de energía en espera ultrabajo
• Potencia activa ultrabaja
• Fácil expansión de memoria con CE1, CE2 y OE
• Apagado automático cuando no está seleccionado
• CMOS para una velocidad/potencia óptimas