CY7C1021DV33-10ZSXI

CY7C1021DV33-10ZSXI es una RAM estática CMOS de alto rendimiento de 1 Mbit (64 K × 16) organizada como 65 536 palabras por 16 bits. Este dispositivo tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía cuando no está seleccionada. La escritura en el dispositivo se logra tomando las entradas de habilitación de chip (CE bajo activo) y habilitación de escritura (WE bajo activo) en BAJA. Si la habilitación de byte bajo (BLE bajo activo) es BAJA, entonces los datos de los pines de E/S (E/S0 a E/S7) se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección (A0 a A15). Si la habilitación de byte alto (BHE bajo activo) es BAJA, entonces los datos de los pines de E/S (E/S8 a E/S15) se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección (A0 a A15). La lectura desde el dispositivo se logra tomando la habilitación del chip (CE baja activa) y la habilitación de salida (OE baja activa) en BAJA mientras se fuerza la habilitación de escritura (WE baja activa) en ALTA. La aplicación incluye robots domésticos y automatización industrial.

• Densidad de 1 Mbit, ancho de datos × 16 bits, C9, tecnología de 90nm
• Rango de voltaje de 3V a 3.6V, velocidad de 10ns
• Compatible con pines y funciones de CY7C1021CV33
• La corriente de suministro operativo VCC es de 60mA como máximo (100 MHz, VCC=Máx., IOUT=0mA)
• Corriente de apagado automático CE: las entradas CMOS son 3mA máx. (VCC máx., -\0.3V)
• Retención de datos de 2.0V, apagado automático cuando se deselecciona
• CMOS para una velocidad/potencia óptimas, control independiente de bits superiores e inferiores
• VCC para retención de datos es 2V mínimo
• La capacitancia de entrada y salida es de 8pF máx. (TA=25 °C, f=1 MHz, VCC=VCC(típico))
• Paquete TSOP tipo II de 44 pines, rango de temperatura industrial de -40 °C a 85 °C