Imprimir página
CY7C1049G30-10VXI
SRAM, SRAM asíncrona, 4 Mbit, 512K x 8bit, SOJ, 36 Pines, 2.2 V
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY7C1049G30-10VXI
No. Parte Newark23AC3617
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.520 |
| 10+ | $10.190 |
| 25+ | $9.850 |
| 50+ | $9.690 |
| 100+ | $9.610 |
| 250+ | $9.450 |
| 500+ | $9.260 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$10.52
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY7C1049G30-10VXI
No. Parte Newark23AC3617
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMSRAM asíncrona
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria SRAM0
Densidad de Memoria4Mbit
Tensión de Alimentación, Rango0
Configuración de Memoria512K x 8bit
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CISOJ
No. de Pines36Pines
Tensión de Alimentación Mín.2.2V
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3V
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
CY7C1049G30-10VXI is a high-performance CMOS fast 4-Mbit (512K words × 8-bit) static RAM device with embedded ECC. Data write is performed by asserting the chip enable (active low CE) and write enable (active low WE) inputs LOW, while providing the data on I/O0 through I/O7 and address on A0 through A18 pins. Data read is performed by asserting the chip enable (CE) and output enable (active low OE) inputs LOW and providing the required address on the address lines. Read data is accessible on the I/O lines (I/O0 through I/O7). Application includes human machine interface.
- Without ERR output
- Voltage range from 2.2V to 3.6V, 10ns speed, 65nm process technology
- Operating ICC range from 38mA typ (f=fmax.,TA=25°C, VCC=3V)
- Automatic CE power-down current – CMOS inputs is 6mA typ (Max VCC, 0.2V)
- 1.0V data retention, TTL-compatible inputs and outputs
- Error indication (ERR) pin to indicate 1-bit error detection and correction
- Input capacitance is 10pF (TA=25°C, f=1MHz, VCC=VCC(typ)
- I/O capacitance is 10pF (TA=25°C, f=1MHz, VCC=VCC(typ)
- VCC for data retention is 1V min (-40°C to 85°C)
- 36-pin molded SOJ package, industrial temperature range from -40°C to +85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
SRAM asíncrona
Configuración Memoria SRAM
0
Tensión de Alimentación, Rango
0
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
36Pines
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Nom.
3V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
0
Densidad de Memoria
4Mbit
Configuración de Memoria
512K x 8bit
Estuche / Paquete CI
SOJ
Tensión de Alimentación Mín.
2.2V
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto