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CY7C1049GN30-10VXI
SRAM, SRAM asíncrona, 4 Mbit, 512K x 8bit, SOJ, 36 Pines, 3.6 V
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY7C1049GN30-10VXI
No. Parte Newark27AC2840
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY7C1049GN30-10VXI
No. Parte Newark27AC2840
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria0
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Configuración Memoria SRAM0
Densidad de Memoria4
Configuración de Memoria512K x 8bit
Tensión de Alimentación, Rango0
Estuche / Paquete CISOJ
Memoria, Tipo0
No. de Pines36Pines
Tensión de Alimentación Mín.3.6
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Máx.2.2
Tensión de Alimentación Nom.-
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
CY7C1049GN30-10VXI is a high-performance CMOS fast static RAM device organized as 512K words by 8-bits. Data write is performed by asserting the chip enable (active low CE) and write enable (active low WE) inputs LOW, while providing the data on I/O0 through I/O7 and address on A0 through A18 pins. Data read is performed by asserting the chip enable (active low CE) and output enable (active low OE) inputs LOW and providing the required address on the address lines. Read data is accessible on the I/O lines (I/O0 through I/O7). Application includes human machine interface.
- 4-Mbit density, × 8-bits data width, 65nm process technology
- 10ns speed, voltage range from 2.2 to 3.6V
- Operating ICC range from 38mA typ (f=fmax.,TA=25°C, VCC=3V)
- Automatic CE power-down current – CMOS inputs is 6mA typ (Max VCC, 0.2V)
- 1.0V data retention, TTL-compatible inputs and outputs
- Input capacitance is 10pF (TA=25°C, f=1MHz, VCC=VCC(typ)
- I/O capacitance is 10pF (TA=25°C, f=1MHz, VCC=VCC(typ)
- VCC for data retention is 1V min (-40°C to 85°C)
- 36-pin molded SOJ package, operating industrial temperature range from -40 to +85°C
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria SRAM
0
Configuración de Memoria
512K x 8bit
Estuche / Paquete CI
SOJ
No. de Pines
36Pines
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Nom.
-
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Densidad de Memoria
4
Tensión de Alimentación, Rango
0
Memoria, Tipo
0
Tensión de Alimentación Mín.
3.6
Tensión de Alimentación Máx.
2.2
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto