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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
MOSFET, 1.2KV, 100A, MODULE ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteF3L8MR12W2M1HPB11BPSA1Copiar
No. Parte Newark34AK2251
Rango de ProductoEasyPACK CoolsiC Series
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteF3L8MR12W2M1HPB11BPSA1Copiar
No. Parte Newark34AK2251
Rango de ProductoEasyPACK CoolsiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETThree Level Inverter
Tipo de CanalDual N Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id100A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8.1mohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorModule
No. de Pines32Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3V
Disipación de Potencia20mW
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Rango de ProductoEasyPACK CoolsiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Three Level Inverter
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
32Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
EasyPACK CoolsiC Series
Tipo de Canal
Dual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8.1mohm
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
20mW
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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