FF200R17KE4HOSA1

Módulo IGBT, Doble, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Module

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INFINEON FF200R17KE4HOSA1
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No. Parte FabricanteFF200R17KE4HOSA1
No. Parte Newark27X9042
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Información del producto

FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF200R17KE4HOSA1
No. Parte Newark27X9042
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua310A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.95V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.25kW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTEncaje a Presión
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.7kV
Tecnología IGBTIGBT 4 [Parada en zanja/campo]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Especificaciones técnicas

Configuración IGBT

Doble

Corriente del Colector Continua

310A

Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)

0

Disipación de Potencia

1.25kW

Temperatura de Union, Tj Máx.

0

Diseño de Transistor

Module

Voltaje Máx. Colector a Emisor

1.7kV

Montaje de Transistor

Panel

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (21-Jan-2025)

Corriente de Colector DC

0

Voltaje de Saturación Colector Emisor

1.95V

Disipación de Potencia Pd

0

Temperatura de Trabajo Máx.

150°C

Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo

0

Terminación del IGBT

Encaje a Presión

Tecnología IGBT

IGBT 4 [Parada en zanja/campo]

Rango de Producto

-

Legislación y medioambiente

US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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