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FF200R17KE4HOSA1
Módulo IGBT, Doble, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Module
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $119.300 |
| 5+ | $119.280 |
| 10+ | $119.250 |
| 30+ | $117.720 |
| 50+ | $116.200 |
| 100+ | $114.670 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF200R17KE4HOSA1
No. Parte Newark27X9042
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua310
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.95
Disipación de Potencia1.25
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTEncaje a Presión
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.7
Tecnología IGBTIGBT 4 [Parada en zanja/campo]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Doble
Corriente del Colector Continua
310
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.95
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.7
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
1.25
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Terminación del IGBT
Encaje a Presión
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Parada en zanja/campo]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto