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FF4000UXTR33T2M1BPSA1
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Canal N, 500 A, 3.3 kV, 0.0048 ohm, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF4000UXTR33T2M1BPSA1
No. Parte Newark18AM9511
Rango de ProductoXHP 2 Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3,812.670 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF4000UXTR33T2M1BPSA1
No. Parte Newark18AM9511
Rango de ProductoXHP 2 Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETMedio Puente
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id500
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds3.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0048
Diseño de TransistorModule
No. de Pines15Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.55
Disipación de Potencia20
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoXHP 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 is an XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET half-bridge module with .XT interconnection technology for decarbonizing transportation. Applications include energy storage systems, hydrogen electrolysis, photovoltaic, and traction, high-power converters, and high-frequency switching applications.
- CoolSiC™ MOSFET 3.3KV, Integrated body diode, XHP™ 2 housing
- Energy efficiency, high power density, enhanced lifetime
- High creepage and clearance distances, AlN substrate with low thermal resistance
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Drain-source voltage is 3300V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 500A at Tvj = 175°C, VGS = 15V, TC = 35°C
- Drain-source on-resistance is 3.8mohm at VGS = 15V, Tvj = 25°C, D = 500A
- AG-XHP2K33 package
- Temperature under switching conditions range from -40 to 175°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Medio Puente
Intensidad Drenador Continua Id
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0048
No. de Pines
15Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.55
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
3.3
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
20
Rango de Producto
XHP 2 Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto