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FF450R12KT4HOSA1
IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN
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FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark27X9049
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Información del producto
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Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDual [Half Bridge]
Corriente del Colector Continua580A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.75V
Disipación de Potencia2.4kW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza FF450R12KT4HOSA1
2 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Dual [Half Bridge]
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.75V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
580A
Disipación de Potencia
2.4kW
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto