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FF600R12KE4BOSA1
Arreglo & Módulo Transistor IGBT, Fosa/Tope de campo, Canal N, 600 A, 1.75 V, 1.2 kV, Módulo
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $215.590 |
| 5+ | $199.670 |
| 10+ | $183.740 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF600R12KE4BOSA1
No. Parte Newark43AC3133
Rango de Producto62mm C
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBTDual [Half Bridge]
Corriente del Colector Continua600
Corriente de Colector DC600A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.75
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.75V
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Temperatura de Trabajo Máx.150
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTTab
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Tecnología IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto62mm C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Módulo de la serie C de 62mm con IGBT 4 de trinchera/tope de campo y 4 diodos controlados por emisor, adecuado para su uso en convertidores de alta potencia, accionamientos de motor, sistemas UPS y turbinas eólicas.
- Temperatura de funcionamiento extendida Tvjop
- Pérdidas de conmutación bajas
- Bajo VCEsat
- Robustez inmejorable
- VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
- Aislamiento mínimo de 4KV AC1
- Paquete con CTI<gt/> 400
- Grandes distancias de fuga y espacio libre
- Alta densidad de potencia
- Placa base aislada
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
600
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.75
Disipación de Potencia
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Terminación del IGBT
Tab
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
62mm C
Configuración IGBT
Dual [Half Bridge]
Corriente de Colector DC
600A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.75V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto