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FF600R12KE4EBOSA1
Módulo IGBT, Doble, Emisor Común, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF600R12KE4EBOSA1
No. Parte Newark93AC7010
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF600R12KE4EBOSA1
No. Parte Newark93AC7010
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDual, Common Emitter
Corriente del Colector Continua600
Corriente de Colector DC600A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.75
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.75V
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Tecnología IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Dual, Common Emitter
Corriente de Colector DC
600A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.75V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente del Colector Continua
600
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.75
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto