FM24C04B-GTR

FM24C04B-GTR es una memoria no volátil de 4Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras de manera similar a la RAM. Proporciona una retención de datos confiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, la sobrecarga y los problemas de confiabilidad a nivel del sistema causados ​​por la EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de EEPROM, el FM24C04B realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles. Además, la F-RAM exhibe un consumo de energía mucho menor durante las escrituras que la EEPROM, ya que las operaciones de escritura no requieren un voltaje de suministro de energía internamente elevado para los circuitos de escritura.

• Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 4Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 512 × 8
• Retención de datos durante 151 años, escribe No Delay™
• Proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
• Frecuencia de hasta 1MHz, reemplazo directo de hardware para EEPROM serial (I²C)
• Rango de voltaje VDD de 4.5V a 5.5V, calificación AEC-Q100 grado 3
• La corriente en espera es de 4µA típica a (SCL=SDA=VDD. Todas las demás entradas VSS o VDD. comando de parada emitido)
• La corriente de fuga de salida es de +1 µA como máximo en (VSS <lt/> VIN <lt/> VDD)
• La resistencia de entrada es de 40 Kohm como mínimo (para VIN = VIL (máx.))
• La capacitancia del pin de entrada es de 6pF como máximo a (TA = 25 °C, f = 1MHz, VDD = VDD(típico))
• Rango de temperatura ambiente industrial de -40 °C a +85 °C, paquete SOIC de 8 pines