FM24V05-GTR

FM24V05-GTR es una memoria no volátil de 512 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras de manera similar a la RAM. Proporciona una retención de datos confiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, la sobrecarga y los problemas de confiabilidad a nivel del sistema causados ​​por la EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de EEPROM, el FM24V05 realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles. Además, la F-RAM exhibe un consumo de energía mucho menor durante las escrituras que la EEPROM, ya que las operaciones de escritura no requieren un voltaje de suministro de energía internamente elevado para los circuitos de escritura.

• No Delay™ escribe
• Proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
• Retención de datos durante 151 - años
• Operación de bajo voltaje de VDD = 2V a 3.6V
• Interfaz serial rápida de 2 hilos (I2C), hasta una frecuencia de 3.4MHz
• Reemplazo directo de hardware para EEPROM serial (I2C)
• Admite tiempos heredados de 100 kHz y 400 kHz
• Consumo de energía de 175µA activo a 100kHz, 90µA (típico) en modo de espera y 5µA (típico) en modo de suspensión
• Paquete SOIC de 8 pines
• Rango de temperatura industrial de -40°C a +85°C