FM25L16B-G

FM25L16B-G es una F-RAM serial (SPI) de 16 Kbit (2K × 8). Es una memoria no volátil de 16 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras de manera similar a la RAM. Proporciona retención de datos confiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, la sobrecarga y los problemas de confiabilidad a nivel del sistema causados ​​por la memoria flash serial, EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la memoria flash serial y EEPROM, el FM25L16B realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. La aplicación incluye un variador de motor de uso general, con frecuencia y voltaje variables.

• Rango de voltaje de 2.7V a 3.6V, SPI F-RAM
• Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) de 16 Kbit organizada lógicamente como 2K × 8
• Alta resistencia: 100 billones de lecturas/escrituras, retención de datos durante 151 años
• Escritura No Delay™, proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
• Reemplazo directo de hardware para flash serial y EEPROM, admite modo SPI 0 (0.0) y modo 3 (1.1)
• Protección de hardware mediante el pin de protección contra escritura (WP bajo activo)
• Protección de software mediante instrucción de desactivación de escritura, protección de bloque de software para 1/4, 1/2 o toda la matriz
• La corriente de espera VDD es de 3µA como máximo (activa baja, CS=VDD, todas las demás entradas VSS o VDD
• La capacitancia del pin de salida (SO) es 8pF máximo (TA=25 °C, f=1 MHz, VDD=VDD(típico))
• Paquete SOIC de 8 pines, rango de temperatura industrial de -40 a 85 °C