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FP50R12KE3BOSA1
Arreglo & Módulo Transistor IGBT, Canal N, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Módulo
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFP50R12KE3BOSA1
No. Parte Newark13AC8739
Rango de ProductoEconoPIM 3
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFP50R12KE3BOSA1
No. Parte Newark13AC8739
Rango de ProductoEconoPIM 3
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTPIM Three Phase Input Rectifier
Transistor, PolaridadCanal N
Corriente de Colector DC75A
Corriente del Colector Continua75A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.7V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.7V
Disipación de Potencia Pd280W
Disipación de Potencia280W
Temperatura de Union, Tj Máx.125°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTPress Fit
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoEconoPIM 3
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Módulo IGBT rectificador de entrada trifásico PIM de 1200V, 50A con TRENCHSTOP™ IGBT3 y NTC de baja saturación y velocidad rápida.
- Diseño de módulo de baja inductancia parásita
- Alta confiabilidad y densidad de potencia
- Placa de base de cobre para optimizar la difusión del calor
- Pines soldables
- Pérdidas de conmutación bajas
- Alta frecuencia de conmutación
- Concepto de módulo compacto
- Optimización del tiempo y el costo del ciclo de desarrollo del cliente.
- Flexibilidad de configuración
- Concepto de montaje rápido, fiable y económico
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
PIM Three Phase Input Rectifier
Corriente de Colector DC
75A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.7V
Disipación de Potencia Pd
280W
Temperatura de Union, Tj Máx.
125°C
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Terminación del IGBT
Press Fit
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
EconoPIM 3
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
75A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.7V
Disipación de Potencia
280W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto