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FP50R12KE3BOSA1
Arreglo & Módulo Transistor IGBT, Canal N, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Módulo
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFP50R12KE3BOSA1Copiar
No. Parte Newark13AC8739
Rango de ProductoEconoPIM 3
Su número de pieza
10 En Stock
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $109.480 |
| 5+ | $97.700 |
| 10+ | $85.940 |
| 30+ | $85.770 |
| 50+ | $85.590 |
| 100+ | $85.420 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$109.48
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFP50R12KE3BOSA1Copiar
No. Parte Newark13AC8739
Rango de ProductoEconoPIM 3
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTPIM Three Phase Input Rectifier
Transistor, PolaridadCanal N
Corriente del Colector Continua75A
Corriente de Colector DC75A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.7V
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.7V
Disipación de Potencia280W
Disipación de Potencia Pd280W
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Union, Tj Máx.125°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTPress Fit
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoEconoPIM 3
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Módulo IGBT rectificador de entrada trifásico PIM de 1200V, 50A con TRENCHSTOP™ IGBT3 y NTC de baja saturación y velocidad rápida.
- Diseño de módulo de baja inductancia parásita
- Alta confiabilidad y densidad de potencia
- Placa de base de cobre para optimizar la difusión del calor
- Pines soldables
- Pérdidas de conmutación bajas
- Alta frecuencia de conmutación
- Concepto de módulo compacto
- Optimización del tiempo y el costo del ciclo de desarrollo del cliente.
- Flexibilidad de configuración
- Concepto de montaje rápido, fiable y económico
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
PIM Three Phase Input Rectifier
Corriente del Colector Continua
75A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.7V
Disipación de Potencia
280W
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Temperatura de Union, Tj Máx.
125°C
Terminación del IGBT
Press Fit
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
EconoPIM 3
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente de Colector DC
75A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.7V
Disipación de Potencia Pd
280W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto