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GS0650111LTRXUMA1
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.030 |
| 10+ | $6.230 |
| 25+ | $5.740 |
| 50+ | $5.210 |
| 100+ | $4.560 |
| 250+ | $3.660 |
| 500+ | $3.480 |
| 1000+ | $3.280 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteGS0650111LTRXUMA1
No. Parte Newark42AM5329
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id11
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19
Carga de Compuerta Típica2.2
Diseño de TransistorPDFN
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines8Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.19
Diseño de Transistor
PDFN
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
11
Carga de Compuerta Típica
2.2
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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