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IAUMN08S5N012GAUMA1
MOSFET, N-CH, 80V, 300A, HSOG-4 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.210 |
| 10+ | $5.020 |
| 25+ | $4.810 |
| 50+ | $4.600 |
| 100+ | $4.390 |
| 250+ | $4.250 |
| 500+ | $4.100 |
| 1000+ | $4.020 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIAUMN08S5N012GAUMA1
No. Parte Newark14AM4370
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id300A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1200µohm
Diseño de TransistorHSOG
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8V
Disipación de Potencia325W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
300A
Diseño de Transistor
HSOG
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
325W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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