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IGW25N120H3FKSA1
IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGW25N120H3FKSA1
No. Parte Newark50Y1985
También conocido comoIGW25N120H3, SP000674424
Hoja de datos técnicos
50 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.230 |
| 10+ | $5.800 |
| 25+ | $4.360 |
| 50+ | $4.050 |
| 100+ | $3.730 |
| 480+ | $3.720 |
| 720+ | $3.150 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGW25N120H3FKSA1
No. Parte Newark50Y1985
También conocido comoIGW25N120H3, SP000674424
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua50
Corriente de Colector DC50A
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.05
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.05V
Disipación de Potencia Pd326W
Disipación de Potencia326
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Diseño de TransistorTO-247
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IGW25N120H3 is a High Speed IGBT in Trench and field-stop technology recommended in combination with SiC diode IDH15S120. The high speed device is used to reduce the size of the active components (25 to 70kHz). The high speed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-OFF switching behaviour, leading to low turn-OFF losses. Furthermore, up to 15% efficiency improvement can be achieved by implementing this technology in your design.
- Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching @ frequencies below 70kHz
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short-circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
- Very good EMI behaviour
- Small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
- Best-in-class IGBT efficiency and EMI behaviour
- Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
- Green product
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
50
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.05
Disipación de Potencia Pd
326W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente de Colector DC
50A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.05V
Disipación de Potencia
326
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Núm. de Contactos
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto