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IGW50N60TFKSA1
IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGW50N60TFKSA1
No. Parte Newark13T9424
También conocido comoIGW50N60T, SP000054926
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $2.400 |
| 25+ | $2.190 |
| 50+ | $2.030 |
| 100+ | $2.030 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGW50N60TFKSA1
No. Parte Newark13T9424
También conocido comoIGW50N60T, SP000054926
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua50
Corriente de Colector DC50A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2V
Voltaje de Saturación Colector Emisor2
Disipación de Potencia333
Disipación de Potencia Pd333W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo600V
Voltaje Máx. Colector a Emisor600
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IGW50N60T es un IGBT de baja pérdida en tecnología TrenchStop® y parada de campo. La tecnología TrenchStop® IGBT conduce a una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del dispositivo, debido a la combinación de la celda TrenchStop® y el concepto de parada de campo. La combinación de IGBT con diodo controlado por emisor de recuperación suave minimiza aún más las pérdidas de encendido. La mayor eficiencia se alcanza debido al mejor compromiso entre el cambio y las pérdidas de conducción.
- Caída más baja de Vce (sat) para pérdidas de conducción más bajas
- Pérdidas de conmutación bajas
- Fácil capacidad de conmutación en paralelo debido al coeficiente de temperatura positivo en Vce (sat)
- Diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida y muy suave
- Alta robustez, comportamiento estable a la temperatura.
- Emisiones bajas de EMI
- Baja carga de compuerta
- Distribución de parámetros muy ajustada.
- Máxima eficiencia - bajas pérdidas de conducción y conmutación
- Alta confiabilidad del dispositivo
- Cortocircuito soportado por 5µs
- Producto verde
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
50
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2V
Disipación de Potencia
333
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
600V
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente de Colector DC
50A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2
Disipación de Potencia Pd
333W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto