IKW30N60TFKSA1
IGBT, 60A, 2.05V, 187W
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IKW30N60TFKSA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 38 semanas |
| No. Parte Newark | 61M6734 |
| También conocido como | IKW30N60T, SP000054887 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.450 |
| 10+ | $3.790 |
| 25+ | $3.140 |
| 50+ | $2.480 |
| 100+ | $2.270 |
| 250+ | $2.050 |
| 500+ | $2.010 |
Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IKW30N60TFKSA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 38 semanas |
| No. Parte Newark | 61M6734 |
| También conocido como | IKW30N60T, SP000054887 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Corriente del Colector Continua | 60 |
| Corriente de Colector DC | 60A |
| Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) | 2.05V |
| Voltaje de Saturación Colector Emisor | 2.05 |
| Disipación de Potencia | 187 |
| Disipación de Potencia Pd | 187W |
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 600V |
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 600 |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
The IKW30N60T is a 600V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode. TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.
- Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
- Low switching losses
- Easy to parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
- High ruggedness, temperature stable behaviour
- Low EMI emissions
- Low gate charge
- Very tight parameter distribution
- Highest efficiency
- Low conduction and switching losses
Especificaciones técnicas
| Corriente del Colector Continua | 60 |
|---|---|
| Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) | 2.05V |
| Disipación de Potencia | 187 |
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 600V |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Corriente de Colector DC | 60A |
|---|---|
| Voltaje de Saturación Colector Emisor | 2.05 |
| Disipación de Potencia Pd | 187W |
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 600 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IKW30N60TFKSA1
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |