IKW40N120T2FKSA1
IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.830 |
| 10+ | $7.610 |
| 25+ | $4.690 |
| 50+ | $4.330 |
| 100+ | $4.060 |
| 250+ | $4.020 |
| 500+ | $3.970 |
Información del producto
Resumen del producto
El IKW40N120T2 es un IGBT de baja pérdida en tecnología TrenchStop® de segunda generación con diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación suave y rápida La tecnología TrenchStop® IGBT conduce a una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del dispositivo, debido a la combinación de la celda TrenchStop® y el concepto de parada de campo. La combinación de IGBT con diodo controlado por emisor de recuperación suave minimiza aún más las pérdidas de encendido. La mayor eficiencia se alcanza debido al mejor compromiso entre el cambio y las pérdidas de conducción.
- Caída más baja de Vce (sat) para pérdidas de conducción más bajas
- Pérdidas de conmutación bajas
- Fácil capacidad de conmutación en paralelo debido al coeficiente de temperatura positivo en Vce (sat)
- Diodo HE controlado por emisor antiparalelo de recuperación muy suave y rápida
- Alta robustez, comportamiento estable a la temperatura.
- Emisiones bajas de EMI
- Baja carga de compuerta
- Distribución de parámetros muy ajustada.
- Máxima eficiencia - bajas pérdidas de conducción y conmutación
- Alta confiabilidad del dispositivo
- Cortocircuito soportado por 10µs
Especificaciones técnicas
75A
1.75V
480W
1.2kV
TO-247
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
75A
1.75V
480W
1.2kV
3Pines
Through Hole
MSL 1 - Unlimited
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