Imprimir página
IKW40N120T2FKSA1
IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIKW40N120T2FKSA1
No. Parte Newark85X6005
También conocido comoIKW40N120T2, SP000244962
Su número de pieza
268 En Stock
¿Necesita más?
30 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
238 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 6 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.350 |
| 10+ | $7.180 |
| 25+ | $5.990 |
| 50+ | $4.830 |
| 100+ | $4.450 |
| 480+ | $4.050 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$8.35
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIKW40N120T2FKSA1
No. Parte Newark85X6005
También conocido comoIKW40N120T2, SP000244962
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC75A
Corriente del Colector Continua75
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.75V
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.75
Disipación de Potencia480
Disipación de Potencia Pd480W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IKW40N120T2 es un IGBT de baja pérdida en tecnología TrenchStop® de segunda generación con diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación suave y rápida La tecnología TrenchStop® IGBT conduce a una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del dispositivo, debido a la combinación de la celda TrenchStop® y el concepto de parada de campo. La combinación de IGBT con diodo controlado por emisor de recuperación suave minimiza aún más las pérdidas de encendido. La mayor eficiencia se alcanza debido al mejor compromiso entre el cambio y las pérdidas de conducción.
- Caída más baja de Vce (sat) para pérdidas de conducción más bajas
- Pérdidas de conmutación bajas
- Fácil capacidad de conmutación en paralelo debido al coeficiente de temperatura positivo en Vce (sat)
- Diodo HE controlado por emisor antiparalelo de recuperación muy suave y rápida
- Alta robustez, comportamiento estable a la temperatura.
- Emisiones bajas de EMI
- Baja carga de compuerta
- Distribución de parámetros muy ajustada.
- Máxima eficiencia - bajas pérdidas de conducción y conmutación
- Alta confiabilidad del dispositivo
- Cortocircuito soportado por 10µs
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
75A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.75V
Disipación de Potencia
480
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente del Colector Continua
75
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.75
Disipación de Potencia Pd
480W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (4)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto