IKW75N60TFKSA1
IGBT, 80A, 2V, 428W
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IKW75N60TFKSA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 38 semanas |
| No. Parte Newark | 61M6737 |
| También conocido como | IKW75N60T, SP000054889 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
¿Necesita más?
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $11.480 |
| 10+ | $7.180 |
| 25+ | $6.810 |
| 50+ | $6.440 |
| 100+ | $6.070 |
| 250+ | $5.610 |
| 500+ | $5.140 |
Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IKW75N60TFKSA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 38 semanas |
| No. Parte Newark | 61M6737 |
| También conocido como | IKW75N60T, SP000054889 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Corriente del Colector Continua | 80 |
| Corriente de Colector DC | 80A |
| Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) | 2V |
| Voltaje de Saturación Colector Emisor | 2 |
| Disipación de Potencia | 428 |
| Disipación de Potencia Pd | 428W |
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 600V |
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 600 |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El IKW75N60T es un IGBT discreto de 600 V con un diodo controlado por emisor anti-paralelo muy suave y de recuperación rápida. La tecnología TRENCHSTOP™ IGBT permite una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del dispositivo debido a la combinación del concepto de tope de celda superior y archivado de zanja. La combinación de IGBT con un diodo controlado por emisor de recuperación suave minimiza aún más las pérdidas de encendido. La mayor eficiencia se alcanza debido al mejor compromiso entre el cambio y las pérdidas de conducción. El IGBT discreto es ideal para aplicaciones de cambio duro, así como para aplicaciones de cambio suave y otras aplicaciones resonantes.
- Caída más baja de Vce (sat) para pérdidas de conducción más bajas
- Pérdidas de conmutación bajas
- Fácil capacidad de conmutación en paralelo debido al coeficiente de temperatura positivo en Vce (sat)
- Alta robustez, comportamiento estable a la temperatura.
- Emisiones bajas de EMI
- Baja carga de compuerta
- Distribución de parámetros muy ajustada.
- La más alta eficiencia
- Baja conducción y pérdidas de conmutación.
Especificaciones técnicas
| Corriente del Colector Continua | 80 |
|---|---|
| Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) | 2V |
| Disipación de Potencia | 428 |
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 600V |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Corriente de Colector DC | 80A |
|---|---|
| Voltaje de Saturación Colector Emisor | 2 |
| Disipación de Potencia Pd | 428W |
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 600 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |