Imprimir página
IMCQ120R078M2HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 31 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, HDSOP
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMCQ120R078M2HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)27AM0103RL
Cinta adhesiva27AM0103
Rango de ProductoCoolSiC Series
Su número de pieza
1,020 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $9.490 | $9.49 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $9.49 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.490 |
| 50+ | $6.000 |
| 100+ | $5.110 |
| 250+ | $4.720 |
| 500+ | $4.320 |
| 1000+ | $4.240 |
| 2500+ | $4.160 |
| 5000+ | $4.070 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMCQ120R078M2HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)27AM0103RL
Cinta adhesiva27AM0103
Rango de ProductoCoolSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id31
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0781
Diseño de TransistorHDSOP
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.1
Disipación de Potencia176
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
IMCQ120R078M2HXTMA1 is a N-channel CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET G2, ideal for a wide range of applications such as solid-state circuit breakers and relays, EV charging stations, online and industrial UPS systems, string inverters, general-purpose drives (GPD), commercial air vehicles (CAV), and servo drives.
- VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
- IDDC = 22A at TC = 100°C
- RDS(on) = 78.1mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Overload operation up to Tvj = 200°C
- Short circuit withstand time of 2µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V
- Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
31
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0781
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.1
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
HDSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
176
Rango de Producto
CoolSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto