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IMDQ75R008M1HXUMA1
SIC MOSFET, N-CH, 750V, 173A, HDSOP-22
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMDQ75R008M1HXUMA1
No. Parte Newark83AK8215
Rango de ProductoCoolSiC Gen I Series
623 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $27.860 |
| 10+ | $22.070 |
| 25+ | $20.980 |
| 50+ | $20.070 |
| 100+ | $19.200 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$27.86
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMDQ75R008M1HXUMA1
No. Parte Newark83AK8215
Rango de ProductoCoolSiC Gen I Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id173A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0106ohm
Diseño de TransistorHDSOP
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia625W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC Gen I Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
173A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0106ohm
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750V
Diseño de Transistor
HDSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
625W
Rango de Producto
CoolSiC Gen I Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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