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IMLT40R015M2HXTMA1
MOSFET, N-CH, 400V, 111A, HDSOP ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMLT40R015M2HXTMA1
No. Parte Newark59AM2295
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $16.550 |
| 10+ | $15.200 |
| 25+ | $14.600 |
| 50+ | $13.470 |
| 100+ | $12.620 |
| 250+ | $11.680 |
| 500+ | $11.260 |
| 1000+ | $10.780 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMLT40R015M2HXTMA1
No. Parte Newark59AM2295
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id111A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0191ohm
Diseño de TransistorHDSOP
No. de Pines16Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia341W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
111A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0191ohm
No. de Pines
16Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400V
Diseño de Transistor
HDSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
341W
Rango de Producto
CoolSiC G2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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