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IMLT65R050M2HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 47 A, 650 V, 0.046 ohm, HDSOP
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMLT65R050M2HXTMA1
No. Parte Newark03AM7987
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
370 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.930 |
| 10+ | $6.020 |
| 25+ | $5.900 |
| 50+ | $5.730 |
| 100+ | $5.560 |
| 250+ | $5.270 |
| 500+ | $4.980 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMLT65R050M2HXTMA1
No. Parte Newark03AM7987
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id47A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.046ohm
Diseño de TransistorHDSOP
Núm. de Contactos16Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia227W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
47A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.046ohm
Núm. de Contactos
16Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
HDSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
227W
Rango de Producto
CoolSiC G2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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