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IMTA65R060M2HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMTA65R060M2HXTMA1
No. Parte Newark03AM7992
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
367 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.330 |
| 10+ | $5.230 |
| 25+ | $5.220 |
| 50+ | $4.870 |
| 100+ | $4.500 |
| 250+ | $4.270 |
| 500+ | $4.020 |
| 1000+ | $3.780 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.33
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMTA65R060M2HXTMA1
No. Parte Newark03AM7992
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id37A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.055ohm
Diseño de TransistorLHSOF
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia165W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
37A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.055ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
LHSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
165W
Rango de Producto
CoolSiC G2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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