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IMW65R072M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMW65R072M1HXKSA1
No. Parte Newark78AH7250
Rango de ProductoCoolSiC M1
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Hoja de datos técnicos
236 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.380 |
| 10+ | $10.890 |
| 25+ | $9.430 |
| 50+ | $7.950 |
| 100+ | $7.480 |
| 480+ | $6.990 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMW65R072M1HXKSA1
No. Parte Newark78AH7250
Rango de ProductoCoolSiC M1
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id26
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.072
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia96
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolSiC M1
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia
96
Rango de Producto
CoolSiC M1
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
26
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.072
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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