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IMYH200R100M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 26 A, 2 kV, 0.131 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMYH200R100M1HXKSA1
No. Parte Newark87AK9927
Rango de ProductoCoolsiC Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $17.040 |
| 10+ | $16.620 |
| 25+ | $11.250 |
| 50+ | $10.700 |
| 100+ | $10.140 |
| 480+ | $10.130 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$17.04
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMYH200R100M1HXKSA1
No. Parte Newark87AK9927
Rango de ProductoCoolsiC Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id26A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.131ohm
Diseño de TransistorTO-247
Núm. de Contactos4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5V
Disipación de Potencia217W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolsiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
26A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.131ohm
Núm. de Contactos
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
217W
Rango de Producto
CoolsiC Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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