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IMZA120R030M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA120R030M1HXKSA1
No. Parte Newark97AK2414
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $20.850 |
| 10+ | $18.980 |
| 25+ | $18.360 |
| 50+ | $17.740 |
| 100+ | $17.110 |
| 480+ | $16.730 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
$20.85
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA120R030M1HXKSA1
No. Parte Newark97AK2414
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id70
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0409
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.2
Disipación de Potencia273
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IMZA120R030M1HXKSA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET. Suitable for General purpose drives (GPD), EV-charging, online UPS/industrial UPS, string inverter and solar power optimizer applications.
- Silicon carbide MOSFET with .XT interconnection technology
- 1200V VDSS at Tvj = 25°C and 70A IDDC at Tc = 25°C
- RDS(on) = 30mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
- 4 pin TO-247 package, virtual junction temperature range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
70
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0409
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
273
Rango de Producto
CoolSiC Trench Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto