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IMZA65R010M2HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 144 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA65R010M2HXKSA1
No. Parte Newark20AM0193
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $20.570 |
| 5+ | $19.340 |
| 10+ | $18.100 |
| 25+ | $16.860 |
| 50+ | $15.620 |
| 100+ | $15.230 |
| 250+ | $14.840 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA65R010M2HXKSA1
No. Parte Newark20AM0193
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id144A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0131ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia440W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
144A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0131ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
440W
Rango de Producto
CoolSiC G2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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