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IMZC120R040M2HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 48 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZC120R040M2HXKSA1
No. Parte Newark20AM0202
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $14.510 |
| 10+ | $13.480 |
| 25+ | $12.450 |
| 50+ | $11.430 |
| 100+ | $10.890 |
| 480+ | $10.360 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZC120R040M2HXKSA1
No. Parte Newark20AM0202
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id48A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.1V
Disipación de Potencia218W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
48A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.1V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
218W
Rango de Producto
CoolSiC Gen 2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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