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IPB027N10N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB027N10N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5151
Re-reeling (Rollos a medida)85X6013RL
Cinta adhesiva85X6013
También conocido comoIPB027N10N3 G, SP000506508
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.980 | $5.98 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.98 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.980 |
| 50+ | $3.990 |
| 100+ | $2.860 |
| 250+ | $2.720 |
| 500+ | $2.580 |
| 1000+ | $2.410 |
| 2500+ | $2.350 |
| 5000+ | $2.310 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1000+ | $2.470 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB027N10N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5151
Re-reeling (Rollos a medida)85X6013RL
Cinta adhesiva85X6013
También conocido comoIPB027N10N3 G, SP000506508
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0023ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0023
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Disipación de Potencia300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IPB027N10N3 G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ que ofrece soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30% tanto en RDS (ON) como en FOM.
- Excelente rendimiento de conmutación
- RDS más bajo del mundo (ON)
- Muy bajo Qg y Qgd
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- Amigable con el medio ambiente
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
- Menor consumo de espacio de tablero
- Productos fáciles de diseñar
- Producto verde, libre de halógenos
- MSL1 clasificado 2
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0023ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0023
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPB027N10N3GATMA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto