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IPB072N15N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 100 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB072N15N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5161
Re-reeling (Rollos a medida)60R2666RL
Cinta adhesiva60R2666
También conocido comoIPB072N15N3 G, SP000386664
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.420 | $5.42 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.42 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.420 |
| 50+ | $2.810 |
| 100+ | $2.550 |
| 250+ | $2.350 |
| 500+ | $2.060 |
| 1000+ | $2.010 |
| 2500+ | $1.970 |
| 5000+ | $1.930 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1000+ | $2.360 |
| 2000+ | $2.300 |
| 3000+ | $2.230 |
| 5000+ | $2.190 |
| 10000+ | $2.140 |
| 25000+ | $2.100 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB072N15N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5161
Re-reeling (Rollos a medida)60R2666RL
Cinta adhesiva60R2666
También conocido comoIPB072N15N3 G, SP000386664
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0058ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0072
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IPB072N15N3 G es un transistor de potencia OptiMOS™ de 3 canales N con baja resistencia, excelente rendimiento de conmutación, mayor eficiencia, excelente carga de puerta x producto R DS (ON) (FOM) y menor consumo de espacio en la placa.
- Amigable con el medio ambiente
- Alta densidad de potencia
- Menor consumo de espacio de tablero
- Fácil de diseñar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0058ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0072
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
300W
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto