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IPB100N12S305ATMA2
MOSFET, N-CH, 120V, 100A, TO-236 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB100N12S305ATMA2
No. Parte Newark26AM8602
Rango de ProductoOptiMOS-T Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 57 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.960 |
| 10+ | $6.250 |
| 25+ | $5.810 |
| 50+ | $5.360 |
| 100+ | $4.790 |
| 250+ | $4.010 |
| 500+ | $3.870 |
| 1000+ | $3.690 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.96
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB100N12S305ATMA2
No. Parte Newark26AM8602
Rango de ProductoOptiMOS-T Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds120V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4800µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS-T Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
120V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS-T Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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