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IPD110N12N3GATMA1
MOSFET POT, CANAL N, 120V, 75A
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD110N12N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5200
Re-reeling (Rollos a medida)47W3469RL
Cinta adhesiva47W3469
También conocido comoIPD110N12N3 G, SP001127808
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.310 | $2.31 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.31 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.310 |
| 50+ | $1.130 |
| 100+ | $1.020 |
| 250+ | $0.920 |
| 500+ | $0.822 |
| 1000+ | $0.814 |
| 2500+ | $0.798 |
| 5000+ | $0.781 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.820 |
| 7500+ | $0.797 |
| 12500+ | $0.781 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD110N12N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5200
Re-reeling (Rollos a medida)47W3469RL
Cinta adhesiva47W3469
También conocido comoIPD110N12N3 G, SP001127808
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds120V
Intensidad Drenador Continua Id75A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0092ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente11
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd136W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia136W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IPD110N12N3 G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ que ofrece al mismo tiempo las resistencias de estado ON más bajas de la industria y el comportamiento de conmutación más rápido, lo que permite lograr un rendimiento excepcional en una amplia gama de aplicaciones. La tecnología OptiMOS™ de 120V ofrece nuevas posibilidades para soluciones optimizadas.
- Excelente rendimiento de conmutación
- RDS más bajo del mundo (ON)
- Muy bajo Qg y Qgd
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- Producto verde, libre de halógenos
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- MSL1 clasificado 2
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
120V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0092ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
75A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
11
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
136W
Disipación de Potencia
136W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto