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IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD35N10S3L26ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5209
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2034RL
Cinta adhesiva50Y2034
Rango de ProductoOptiMOS T Series
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1,046 En Stock
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.430 | $2.43 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.43 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.430 |
| 50+ | $1.490 |
| 100+ | $1.070 |
| 250+ | $0.936 |
| 500+ | $0.801 |
| 1000+ | $0.784 |
| 2500+ | $0.717 |
| 5000+ | $0.702 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.692 |
| 5000+ | $0.684 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD35N10S3L26ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5209
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2034RL
Cinta adhesiva50Y2034
Rango de ProductoOptiMOS T Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id35A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia71W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS T Series
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IPD35N10S3L26ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
The IPD35N10S3L-26 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
- AEC-Q101 qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Robust packages with superior quality and reliability
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS T Series
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
71W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto