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IPD50N04S4L08ATMA1
MOSFET, N-CHANNEL, 40V, 50A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD50N04S4L08ATMA1
No. Parte Newark99AK9891
Rango de ProductoOptiMOS-T2 Series
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD50N04S4L08ATMA1
No. Parte Newark99AK9891
Rango de ProductoOptiMOS-T2 Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id50A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7300µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia46W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS-T2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
50A
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
46W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS-T2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IPD50N04S4L08ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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