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IPD50N10S3L16ATMA2
MOSFET, N-CH, 100V, 50A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD50N10S3L16ATMA2
No. Parte Newark26AM8609
Rango de ProductoOptiMOS-T Series
2,500 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.460 |
| 10+ | $2.380 |
| 25+ | $2.170 |
| 50+ | $1.970 |
| 100+ | $1.760 |
| 250+ | $1.640 |
| 500+ | $1.510 |
| 1000+ | $1.460 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.46
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD50N10S3L16ATMA2
No. Parte Newark26AM8609
Rango de ProductoOptiMOS-T Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id50A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.015ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia100W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS-T Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
50A
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
100W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.015ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS-T Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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