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IPD60N10S4L12ATMA1
MOSFET, N-CH, 100V, 60A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD60N10S4L12ATMA1
No. Parte Newark86AK5221
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.807 |
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Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$2,017.50
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD60N10S4L12ATMA1
No. Parte Newark86AK5221
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia94W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
94W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS T2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IPD60N10S4L12ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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