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IPT012N08N5ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, PG-HSOF, Montaje Superficial
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $7.490 | $7.49 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $7.49 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.490 |
| 50+ | $4.000 |
| 100+ | $3.700 |
| 250+ | $3.360 |
| 500+ | $3.190 |
| 1000+ | $3.130 |
| 2500+ | $3.060 |
| 5000+ | $3.000 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2000+ | $2.900 |
| 6000+ | $2.840 |
| 10000+ | $2.780 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPT012N08N5ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5275
Re-reeling (Rollos a medida)97Y1841RL
Cinta adhesiva97Y1841
Rango de ProductoOptiMOS 5
También conocido comoIPT012N08N5, SP001227054
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id300A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0012
Resistencia de Activación Rds(on)0.001ohm
Diseño de TransistorPG-HSOF
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd375W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia375W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
IPT012N08N5ATMA1 is a 80V, 400A OptiMOSTM 5power-transistor in 8 pin HSOF package. Ideal for high frequency switching and synchronous rectification.
- Excellent gate charge x RDS(on)product(FOM)
- Very low on-resistance RDS(on) of 1.2mohm
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0012
Diseño de Transistor
PG-HSOF
Disipación de Potencia Pd
375W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
300A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.001ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
375W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto