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IRF1010EPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1010EPBF
No. Parte Newark63J7165
También conocido comoSP001569818
Hoja de datos técnicos
271 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.270 |
| 10+ | $0.917 |
| 100+ | $0.801 |
| 500+ | $0.710 |
| 1000+ | $0.672 |
| 3000+ | $0.645 |
| 10000+ | $0.609 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1010EPBF
No. Parte Newark63J7165
También conocido comoSP001569818
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id81A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.012ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd170W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia170W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF1010EPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal N de 60V con tecnología de proceso avanzada. El MOSFET de potencia HEXFET® avanzado utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Ultra baja resistencia de encendido
- Clasificación dv/dt dinámica
- Conmutación rápida
- Clasificado avalancha completa
- Calidad líder en la industria
- Tecnología MOSFET planar
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Factor de reducción lineal de 1.4W/°C
- Corriente de avalancha de 50A (IAR)
- Resistencia térmica de 0.75°C/W, unión a carcasa
- Resistencia térmica 62°C/W, unión a ambiente
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
81A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.012ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
170W
Disipación de Potencia
170W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto