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IRF250P224
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 128 A, 0.012 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF250P224
No. Parte Newark93AC7143
Rango de ProductoStrongIRFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF250P224
No. Parte Newark93AC7143
Rango de ProductoStrongIRFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id128
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia556
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoStrongIRFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012ohm
Diseño de Transistor
TO-247AC
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
128
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
556
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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