Imprimir página
IRF7303TRPBFXTMA1
DUAL MOSFET, N-CH, 30V, 4.9A, SO-8 ROHS COMPLIANT: YES
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7303TRPBFXTMA1
No. Parte Newark79AK7071
Rango de ProductoHEXFET Series
2,893 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.590 |
| 10+ | $1.050 |
| 25+ | $0.946 |
| 50+ | $0.842 |
| 100+ | $0.740 |
| 250+ | $0.673 |
| 500+ | $0.604 |
| 1000+ | $0.561 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.59
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7303TRPBFXTMA1
No. Parte Newark79AK7071
Rango de ProductoHEXFET Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.9A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.05ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSO-8
Núm. de Contactos8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
Núm. de Contactos
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.05ohm
Diseño de Transistor
SO-8
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto