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IRF7324TRPBF
MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 9A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7324TRPBF
No. Parte Newark86AK5374
Rango de ProductoHEXFET Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 4000+ | $0.535 |
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Múltiple: 4000
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7324TRPBF
No. Parte Newark86AK5374
Rango de ProductoHEXFET Series
Tipo de CanalDual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.018ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.018ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Alternativas para el número de pieza IRF7324TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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