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IRF7341TRPBFXTMA1
MOSFET Dual, Doble Canal N, 55 V, 4.7 A, 0.05 ohm
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7341TRPBFXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79AK7074RL
Cinta adhesiva79AK7074
Rango de ProductoHEXFET Series
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.350 | $1.35 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.35 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.350 |
| 50+ | $0.876 |
| 100+ | $0.602 |
| 250+ | $0.544 |
| 500+ | $0.484 |
| 1000+ | $0.446 |
| 2500+ | $0.414 |
| 5000+ | $0.406 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7341TRPBFXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79AK7074RL
Cinta adhesiva79AK7074
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N55V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.7A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.043ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSO-8
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
55V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.7A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.043ohm
Diseño de Transistor
SO-8
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto