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IRF7343TRPBF
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
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- Fabricante:
- INFINEON INFINEON
- No. Parte Fabricante:
- IRF7343TRPBF
- No. Parte Newark
- 19K8265
- También conocido como:
- SP001565516
- Hoja de datos técnicos:
- IRF7343TRPBF Ficha de datos
Resumen del producto
El IRF7343TRPBF es un MOSFET de doble canal N/P que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia ON posible por área de silicio. Este beneficio se combina con la rápida velocidad de conmutación y el dispositivo resistente. El HEXFET Power MOSFET es un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El SO-8 se ha modificado a través de un marco de plomo personalizado para características térmicas mejoradas y capacidad de doble matriz, lo que lo hace ideal en una variedad de aplicaciones de energía. Con estas mejoras, se pueden usar múltiples dispositivos en una aplicación con un espacio de placa dramáticamente reducido.
- Tecnología de generación V
- Ultra baja resistencia de encendido
- Dispositivo de montaje en superficie
- Clasificado avalancha completa
Aplicaciones
Industrial, Administración de Potencia
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Información del producto
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- :
- Canal complementario N y P
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- Canal complementario N y P
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- 55V
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- 4.7A
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- 55V
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- 55V
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- 0.043ohm
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- 4.7A
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- 4.7A
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- 10V
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- 1V
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- Montaje Superficial
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- 0.043ohm
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- 0.043ohm
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- 2W
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- SOIC
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- 8Pines
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- 2W
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- 150°C
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- 2W
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- MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (5)
También conocido como
SP001565516
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