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IRF7380TRPBF
MOSFET Dual, Canal N, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7380TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo31K2220
Re-reeling (Rollos a medida)73R1193RL
Cinta adhesiva73R1193
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001574936
Su número de pieza
3,037 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 5 | $0.417 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.08 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.640 |
| 50+ | $1.030 |
| 100+ | $0.688 |
| 250+ | $0.614 |
| 500+ | $0.540 |
| 1000+ | $0.491 |
| 2500+ | $0.451 |
| 5000+ | $0.442 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 4000+ | $0.417 |
| 12000+ | $0.374 |
| 20000+ | $0.367 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7380TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo31K2220
Re-reeling (Rollos a medida)73R1193RL
Cinta adhesiva73R1193
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001574936
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N80
Intensidad Drenador Continua Id3.6A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P80
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.6
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.061
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.061
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.6A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
80
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.061
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
80
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.061
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto