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IRF7470TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 10 A, 0.013 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.730 | $1.73 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.73 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.730 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7470TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)40M7961
Cinta adhesiva40M7961
Rango de ProductoHEXFET
También conocido comoSP001570336
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013
Resistencia de Activación Rds(on)0.013ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El IRF7470TRPBF es un MOSFET de potencia de un solo canal N de HEXFET® que ofrece voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados. Es adecuado para convertidores CD a CD de alta frecuencia con rectificación síncrona.
- Ultra baja Impedancia de compuerta
- Muy baja resistencia estática de drenaje a fuente ON a un voltaje de puerta a fuente de 4.5V
- Clasificación dv/dt dinámica
- Conmutación rápida
- Calificación de avalancha completa
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia de Activación Rds(on)
0.013ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto