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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7907TRPBF
No. Parte Newark86AK5390
Rango de ProductoHEXFET Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semana(s)
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
4000+ | $0.638 |
8000+ | $0.617 |
16000+ | $0.602 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 4000
Múltiple: 4000
$2,552.00
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7907TRPBF
No. Parte Newark86AK5390
Rango de ProductoHEXFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N11A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P11A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0098ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0098ohm
Diseño de TransistorSOIC
Núm. de Contactos8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
11A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0098ohm
Núm. de Contactos
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
11A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0098ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Alternativas para el número de pieza IRF7907TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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